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与其他串行存储器替代品相比,SPI MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及简单、可靠的数据保留。MR20H40CDF是一款SPI接口系列,其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8,使用芯片选择(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)的四引脚接口。外设接口(SPI)总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI闪存通用的命令子集。这允许SPI MRAM替换同一套接字中的这些组件并在共享上进行互操作。
MR20H40CDF和MR20H40DF的区别:MR20H40CDF DFN-8;MR20H40DF HVSON。MR20H40CDF和MR20H40DF哪个好:MR20H40CDF磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 33V 50Mhz 512K x 8 SPI;MR20H40DF NVRAM MRAM Serial-SPI 4Mbit 33V 8Pin DFN EP Tray。MR20H40CDF和MR20H40DF,对比:MR20H40CDF封装:DFN-8,引脚:8,功耗:06 W,存取时间:20 ns,eccn代码:EAR99,工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),安装方式:Surface Mount,包装:Tray,含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,工作温度:85 ℃,电源电压:3V ~ 36V,电源电压:3 V,存取时间:9 ns,工作温
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MR20H40CDF品牌厂家:Everspin Technologies,MR20H40CDF渠道分销商:5家,现货库存数量:2405 PCS,MR20H40CDF价格参考:¥149338元。Everspin Technologies MR20H40CDF参数(DFN-8,封装:DFN-8),和引脚图及功能表说明书PDF下载(30页,1761KB),您可以在MR20H40CDFRAM芯片规格书Datesheet数据手册中,查到MR20H40CDF引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法,MR20H40CDF典型电路教程。 MR20H40CDF可以用什么代替?代换型号如:MR20H40DFR替代换,MR20H40CDF芯片系列中文手册中包含MR20H40CDF各引脚定义说明介绍及MR20H40CDF引脚功能
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工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:无铅,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Active,存取时间:9 ns,工作温度:85 ℃,工作温度:-40 ℃,电源电压:3V ~ 36V;MR20H40DFR 封装:DFN-8,引脚:8,功耗:06 W,工作温度:0℃ ~ 70℃ (TA),高度:085 mm,安装方式:Surface Mount,包装:Tape & Reel (TR),含铅标准:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,产品生命周期:Obsolete,电源电压:3V ~ 36V,电源电压:36 V,电源电压:3 V,存取时间:9 ns,工作温度:70 ℃,工作温度:0 ℃;MR20H40CDF 封装:DFN-8,引脚:8,功耗:06 W,存取时间:20 ns,eccn代码:EAR99,工作温度:-40℃ ~ 85℃ (TA),安装
登录P2P替代:直接替换或第二个来源选项Package / Case 8-VDFN Exposed Pad Memory Type MRAM (Magnetoresistive RAM) Interface SPI Serial Speed 50MHz Manufacturer Everspin Technologies Inc Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) Packaging Tray MR20H40CDFpdf之后就可发表评论 登录P2P替代:直接替换或第二个 库存编号: 制造商名称: EverSpin Technologies, Inc 制造商产品编号: MR20H40CDF 产品描述: MR20H40 Series 4 Mbit (512 k x 8) 33
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